나노기술 및 정책 정보

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중국과학원 산하 "국가 나노 과학 센터" 연구팀은 관련 연구를 실행하는 과정에서 국지 구역의 거대 자기 모멘트 효과를 기반으로 하여 4단 스핀 FET를 개발함.

연구팀은 단일 반도체성 단일 벽 탄소 튜브를 이용하고 길이 방향에 따라 2단의 탄소 튜브와 수직으로 연결되는 금속 전극에 의해 열리게끔 하여 단일 벽 튜브-반(半)으로 열린 탄소 튜브-단일 벽 튜브-반(半)으로 열린 탄소 튜브-단일 벽 튜브 구조를 형성시켰음.

전통적인 전류가 왼쪽에 반(半)으로 열린 탄소 튜브의 금속 전극을 통과 할 때 반(半)으로 열린 탄소 튜브의 거대 자기 모멘트(magnetic moment) 역할 하에서 스핀은 이곳에 집중되는 동시에 탄소 튜브에 따른 스핀 통과가 발생하는 것으로 나타났음.

연구팀은 오른쪽에 반(半)으로 열린 탄소 튜브의 금속 도선(導線) 오픈 회로 전압을 통해 스핀 통과에 대한 검출을 실현하였음.

연구팀은 이번 검출을 통해 스핀 관련 신호(Rspin)는 수백 옴(ohm)에 달할 수 있는 동시에 FET는 실온, 대기(大氣) 조건 하에서 작동한다는 점을 입증함.

본 연구 성과는 ‘Nano Today’("A room-temperature four-terminal spin field effect transistor“)지에 게재됨.