나노기술 및 정책 정보

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큐슈(九州)대학, 도쿄(東京)공업대학, 나고야(名古屋)대학 등의 공동 연구팀이 양호한 전자 전도성을 가지면서도 가시광선을 흡수하지 않는 페로브스카이트 주석 바륨(BaSnO3)을 호스트 재료로 사용하여 산소 결함 존재 하에서 수소이온(H-)을 도핑하고 결정에 Sn2+를 발생시킴으로써, 장파장 가시광선에 반응하는 주석 함유 페로브스카이트형 산수소화물 반도체를 합성함.

개발된 재료는 지금까지 보고된 Sn2+를 핵심으로 하는 화합물보다 장파장의 가시광선을 흡수·응답하였으며,　본 연구를 통해 제시된 산화물 호스트로의 수소이온(H-) 도입 및 산소 결함과의 복합화에 의한 가시광 흡수 재료의 합성 방법은 독성이 없고, 저렴한 납-Free 광 흡수 재료 합성을 위한 새로운 설계 전략이 될 것으로 기대됨.

본 연구 성과는 Chemistry of Materials(Sn-Based Perovskite with a Wide Visible-Light Absorption Band Assisted by Hydride Doping)에 게재됨.