EU 기판 상 대면적 2D 재료를 합성하는 방법 개발
페이지 정보
- 발행기관
- Nanowerk
- 저자
- 종류
- R&D
- 나노기술분류
- 발행일
- 2021-04-28
- 조회
- 1,715
- 출처 URL
본문
뒤스부르크-에센 대학교(University of Duisburg-Essen) 연구팀이 2차원 트랜지스터를 개발하기 위한 Borophene의 분자 빔 수직성장(Epitaxy) 합성 방안을 개발함.
기존의 분자 빔 수직성장 합성법으로 합성된 2차원 재료는 재료를 구성하는 분자 배열의 도메인이 너무 작았으나, 이번에 개발된 방안은 붕소와 질소, 수소로 구성된 borazine 가스와 이리듐 기판을 활용하여 보다 넓은 영역의 도메인을 갖는 borophene을 형성하는데 성공함.
본 연구 성과는 'ACS Nano'(Segregation-Enhanced Epitaxy of Borophene on Ir(111) by Thermal Decomposition of Borazine) 지에 게재됨
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