나노기술 및 정책 정보

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미국 마이크론이 낸드플래시에 이어 D램 분야에서도 ‘업계 최초’ 타이틀을 연이어 달면서 글로벌 메모리 반도체 시장에서 1, 2위를 지키고 있는 삼성전자와 SK하이닉스 뒤를 무섭게 추격하고 있음. 후발주자지만 마이크론이 경쟁사들과의 기술 격차를 좁혀가고 있다는 해석이 나옴.

27일 업계에 따르면 미국의 메모리 반도체 기업인 마이크론테크놀로지는 26일(현지시간) 1α(1-alpha) D램 대량 출하를 시작했다고 밝힘. 기존 최상급인 10나노급 3세대(1z) 다음 세대 제품임.

10나노급 D램은 집적도(회로 간 선폭)이 10나노대라는 의미임. 10나노급 D램은 공정에 따라 1세대(1x), 2세대(1y), 3세대(1z)로 구분됨. 각각 10나노대 후반, 중후반, 중반 정도임. 정해진 기준이 없어 회사마다 다르지만, 1z는 14~16나노 수준임. 이번에 마이크론이 출시한 제품은 13나노 내외로 예상됨.

마이크론 스콧 드보어 부사장은 “1α 노드 성과는 마이크론의 D램 우수성을 보여준 결과물”이라며 “1z D램 대비 밀도가 40% 향상됐다”고 설명함. 이번 신제품은 8기가비트(Gb)에서 16Gb까지의 밀도를 지원하는 것으로 알려짐. 서버, 모바일 등 다양한 분야에서 활용될 전망임.

D램 점유율 1, 2위인 삼성전자(005930)와 SK하이닉스(000660)는 올해 극자외선(EUV) 공정을 도입한 1a D램을 본격 생산함. D램은 낸드플래시와는 달리 적층 방법이 아닌 회로 선폭을 줄여 성능과 효율을 높여 차세대 제품을 만들고 있어 나노 경쟁이 치열함. 다만 마이크론은 아직까지 EUV 공정을 적용하진 않고 있음.

업계 관계자는 “미세공정화가 한계에 가까워지고 잇는 상황이다 보니까 10나노대 들어와서는 기술 차이를 크게 보지 않고 있다”며 “오히려 제조공정과 제조시스템에 의한 생산수율 경쟁이 중요하다”고 말함.

한편 마이크론이 메모리 업계에서 낸드플래시에 이어 D램까지 차세대 기술력을 선보이는 것에는 의미있게 평가함. 마이크론은 지난해 11월에도 176단 3차원(3D) 낸드플래시 생산 소식을 업계 최초로 전함. SK하이닉스는 같은 해 12월 176단 제품을 개발했다고 밝혔지만 제품 생산은 아직임.

당시 낸드 시장 4위 업체인 마이크론이 차세대 낸드 양산에 성공하면서 이 시장을 선도해온 삼성전자 입장에서 자존심에 금이 가는 상황이 됨. 삼성은 7세대 낸드의 단수를 공개하지 않고 있음.

이종호 서울대 반도체공동연구소 소장은 “마이크론이 EUV를 활용하고 있진 않아서 미세회로를 구현한 차세대 제품이라고 보긴 어렵지만 단 5%, 10%라도 효율을 높이면서 경쟁사와 비슷한 기술 수준이라는 것을 알리는 것”이라며 “마이크론이 과거에 비해 기술 간극을 상당히 좁힌 것은 맞다”고 말함.