일본 양성자와 강상관 금속 산화물 반응을 제어
페이지 정보
- 발행기관
- 오사카대학
- 저자
- 종류
- R&D
- 나노기술분류
- 발행일
- 2020-12-15
- 조회
- 2,450
- 출처 URL
본문
오사카(大阪)대학 산업과학연구소, 미국 퍼듀(Purdue)대학 등의 국제 공동 연구그룹이 신규 디바이스의 후보 재료로 주목 받고 있는 강상관 산화물 ‘NdNiO3’ 박막을 채널로 하는 ‘2단자 전계 구동 프로톤(proton, 양성자) 레지스터’를 제작, 양성자의 전계 확산에 따른 큰 저항 변조 발생 메커니즘을 규명함. 연구진은 양성자의 도입과 반응 진행을 제어하기 위해 비대칭 전극 2단자 디바이스를 제작, 양성자와 니켈 산화물과의 반응 장소를 유도한 후 전계를 사용하여 양성자의 거동을 제어하여 저항 변조 기능 관계를 규명하는 데 성공함. 궁극적으로 가볍고 작은 양성자는 화학 반응성이 풍부하고, 매우 큰 이동성을 가지고 있음. 연구진은 양(+)극 전극에 촉매 효과가 있는 백금이, 음(-)극 전극에 비대칭 전극을 가진 금이 배치된 디바이스 구조를 창출함으로써 가스 상태에서 반응 부분을 제어하기 어려웠던 수소 산화물의 반응을 제어하고 양성자 도핑량을 체계적으로 제어하는 방법론을 도출함. 본 연구 성과는 궁극적으로 가볍고 작은 이온인 양성자에 의한 강상관 전자 물성의 제어를 가능하게 하여 기존의 한계를 뛰어넘는 전계에 의한 거대한 물성 제어를 실현하는 ‘산화물 프로토닉스 디바이스’ 개발을 이끌어 낼 것으로 기대됨. 양성자와 강상관 금속 산화물 반응의 자유로운 제어는 거대 실온 응답, 고속, 미소 에너지에서의 작동을 가능하게 하는 꿈의 ‘이온 트로닉스 디바이스’ 실현을 선도할 것으로 전망.
본 연구 성과는 ‘ACS Applied Materials & Interfaces’ (“Catalytic Hydrogen Doping of NdNiO3 Thin Films under Electric Fields”) 지에 게재됨.
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