나노기술 및 정책 정보

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홋카이도(北海道)대학 대학원 공학연구원, 대만대학의 국제 공동 연구그룹이 로드 코일(rod–coil)형 유기 반도체 분자를 이용한 고성능 광응답성 유기 메모리 소자를 개발하는 데 성공함. 유기 반도체로 구성된 메모리 디바이스는 실리콘계 반도체 디바이스와 비교할 때 가벼우면서 유연한 성질을 겸비하고 있어 실용화가 기대되고 있음. 최근 광신호에 의한 메모리 디바이스 제어가 주목을 받고 있으며, 광응답성 메모리 디바이스의 보편적 구축 방법 확립이 요구되고 있음. 연구진은 자기조직화 되도록 설계한 로드 코일형 유기 반도체 분자를 부유 게이트(플로팅 게이트)로 이용함으로써 광응답성 유기 메모리 디바이스 제조 프로세스를 간략화하는 데 성공, 디바이스의 재현성과 신뢰성을 향상시키는 단서를 발견함. 또한, 유기 반도체층과 부유 게이트층 재료에 동등한 결합 분자 구조를 도입함으로써, 고속 스위칭을 실현하고 동시에 디바이스 구동에 필요한 에너지를 저감시킬 수 있음을 발견함. 이 메모리 디바이스는 광신호를 이용한 스위칭 동작이 가능하며, 본 기술은 향후 다양한 유기계 광·전자 디바이스 개발에 기여할 것으로 기대됨.

본 연구 성과는 ‘Advanced Materials’ (“High‐Performance Nonvolatile Organic Photonic Transistor Memory Devices using Conjugated Rod–Coil Materials as a Floating Gate”) 지에 게재됨.