중국 고밀도 그래핀 음극/실리콘 카바이드 음극 소재 개발
페이지 정보
- 발행기관
- 바이두(百度)
- 저자
- 종류
- R&D
- 나노기술분류
- 발행일
- 2020-06-14
- 조회
- 3,307
본문
중국 베이징(北京) 화공(化工) 대학교 쑹화이허(宋懷河) 교수 연구팀은 최근 신장(新疆) 대학교 짱쑤(張蘇) 교수 연구팀, 러시아 과학원 니콜라예프 무기화학 연구소의 Alexander V. Okotrub 교수 연구팀과 공동 연구를 실행하고 고밀도 그래핀 음극/실리콘 카바이드 음극 소재 개발에서 혁신성과를 취득하여 이슈가 되고 있음.
연구팀은 이번 연구를 실행하는 과정에서 "심플 볼 밀링 방법(Simple ball milling method)"을 이용하여 그래핀 중의 결함 구조에 대한 디자인 및 조정 제어 전략을 확정하고, 동 전략을 기반으로 한 동시에 결함 카바이드를 사용하여 초고(超高) 품질과 체적 비교 용량 및 우수한 배율 성능을 보유한 나트륨 저장 소재를 개발하는데 성공하였음.
연구팀은 이번 연구를 통해 볼 밀링 과정에서 그래핀의 형태와 구조는 변화한다는 점을 발견하였으며, 볼 밀링 과정에서 EG의 시트 층 내부와 주변에 대량의 결함을 도입하게 되면 소재 사이즈가 동시에 감소되고, 두께 정도가 증가되고, 시트 층이 휠 수 있고 접을 수 있다는 점을 발견하였으며, 층 간 거리가 감소된다는 점을 발견하였음.
최근 연구팀은 최근 관련 연구를 통해 실리콘 카바이드(silicon carbide) 음극 소재 연구에서 혁신성과를 취득하였는데 연구팀은 일종 간단한 "원 스텝 주사 열분해(one-step injection pyrolysis) 방법"을 이용하여 양파 형태의 완충 구조를 보유한 실리콘 카바이드 복합 소재를 합성하였으며, 그 중 나노의 실리콘 입자는 양파 형태의 카바이드 코팅 층 속에 패키징 되어 있으며, 이런 양파 구조는 실리콘의 체적 팽창을 효과적으로 완충시키고 실리콘 소재의 전기화학 성능을 개선시킬 수 있는 것으로 나타났음.
연구팀은 원자재 중의 실리콘 소스와 카바이드 소스 비례에 대한 제어를 통해 4종의 다른 실리콘 함유량을 보유한 복합 소재를 개발하였는데 그 중 실리콘 함유량이 약 54%에 달하는 복합 소재(P3)는 200mA/g의 전류 밀도 하에서 400회 순환된 후에도 여전히 1391mAh/g에 달하는 비교 용량을 보유하는 것으로 나타난 동시에 배율 성능 측정 테스트 과정에서도 복합 소재는 우수한 성능을 나타냈으며, 2A/g 전류 밀도 하에서의 용량 유지 비율은 63.9%(200 mA/g에 비해) 수준에 달하는 것으로 나타났음.
연구팀이 개발한 방법은 간단하고 실행이 쉬운 특징을 보유하고 있기 때문에 실리콘 카바이드 소재의 양산을 실현하는 면에서 중대한 역할을 발휘하게 될 것으로 전망되는 동시에 양파 형태의 구조는 우수한 안정성을 보유하고 있으며, 실리콘 소재는 충전 및 방전 과정에서 체적 팽창을 효과적으로 완충시킬 수 있으며, 높은 순환 안정성과 비교적 이상적인 배율 성능을 보유하고 있는 것으로 나타났음.
연구팀은 이번 연구를 통해 실리콘 베이스 소재 응용 및 상용화를 위한 중요한 기술 기반을 구축하였음.
본 연구 성과는 ‘Energy Storage Materials’ ("Modulating the Defects of Graphene Blocks by Ball-Milling for Ultrahigh Gravimetric and Volumetric Performance and Fast Sodium Storage") 지에 게재됨.
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