나노기술 및 정책 정보

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빈 공과대학교(Vienna University of Technology) 연구팀이 디스플레이와 센서에 중요한 산화인듐과 그래핀의 조합에서 산화인듐이 어떻게 성장하는지를 관찰함. 그래핀은 단일층의 탄소 원자로 구성됨. 탁월한 전자, 열, 기계적 및 광학 특성으로 인해 그래핀은 현재 가장 많이 연구된 재료 중 하나임. 그러나 전자 및 에너지 기술의 많은 응용 분야에서 그래핀은 다른 재료와 결합되어야함. 그래핀은 매우 얇기 때문에 다른 재료와 직접 접촉할 때 그 특성이 크게 변함. 그러나 분자 수준에서 그래핀을 다른 재료와 결합하는 것은 어려움. 그래핀이 다른 재료와 상호 작용하는 방법은 재료의 종류뿐만 아니라 이러한 재료가 그래핀과 어떻게 접촉하는지에 따라 달라짐. 완성된 재료에 그패핀을 부착하는 대신에 적절한 원자를 그래핀으로 가져와서 그래핀 위에서 원하는 결정구조로 성장시키는 방식으로 그래핀에 부착하게 됨. 지금까지 그래핀상의 다른 물질의 "성장" 메커니즘은 종종 불분명하게 남아있었음.

본 연구 성과는 ‘Advanced Functional Materials’ ("Process Pathway Controlled Evolution of Phase and Van-der-Waals Epitaxy in In/In2O3 on Graphene Heterostructures") 지에 게재됨