나노기술 및 정책 정보

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최근 몇 년 간 중국 정부는 다양한 정책, 조치들을 제정, 실행하여 반도체 산업 발전을 지원하고 추진하여 이미 뚜렷한 성과를 취득함. 중국은 이미 기본적인 반도체 산업체인 배치를 완성한 동시에 파워 반도체 분야에서 폭넓은 배치를 실행하여 다양한 성과를 취득함. 중국은 향후 파워 반도체 소재 연구개발을 대폭 강화하여 파워 반도체 산업의 과학적인 발전을 중점적으로 추진하게 될 것으로 전망됨.

글로벌 파워 반도체 시장 상황을 보면, 한 면으로 전통적인 실리콘 소재 파워 반도체가 거대한 발전 공간을 보유하고 있음. 다른 면으로 글로벌 시장의 실리콘카바이드(SiC) 및 질화 갈륨(GaN) 등 신소재 파워 반도체 칩 시장은 3억 달러 규모에 달하고 있음. 실리콘 소재 파워 반도체 칩 시장은 200억 달러 규모를 초과하는 것으로 나타났음.

국제 시장의 절연 게이트 양극성 트랜지스터(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT) 칩의 메인 스트림(main stream)은 실리콘 소재 5세대, 6세대 및 7세대 제품인데 국제 파워 반도체 산업 분야 전문가들은 "실리콘 소재 파워 반도체 소재는 이미 30년간의 대규모 시장 응용 검증을 거쳐 안정적이고 신뢰도가 높고 가격 수준이 낮고 아직도 기술 발전 공간을 보유하고 있는 등 특징을 보유하고 있기 때문에 향후 적어도 7년에서 8년 정도는 여전히 시장 응용의 메인 스트림이 될 것"이라고 전망하고 있는 상황임.

또 다른 한 면으로, 실리콘카바이드(SiC)와 질화 갈륨(GaN)을 대표로 하는 3세대 반도체 소재는 빠르게 발전하고 있지만 중국의 실리콘카바이드, 질화 갈륨 파워 반도체 디바이스 관련 연구개발은 늦게 시작된 상황이기 때문에 기술적으로 큰 격차가 존재하고 있음. 이런 국면을 전환시키기 위해 중국 정부는 "국가 과학연구 프로젝트"를 통한 지원을 실행하여 국제 기술 격차를 줄이기 위한 노력을 하고 이미 부분적인 혁신성과를 취득함.

공업, 자동차, 무선통신과 소비전자 등 분야 새로운 응용이 지속적으로 추진되고, 에너지 절약 및 오염물질 배출을 감소시키는 수요가 절박해짐에 따라 중국의 파워 반도체 시장 수요는 대폭 증가되고 있음. 중국 정부의 지원 정책이 강화됨에 따라 파워 반도체는 점차 "중국의 칩"으로 자리 매김하게 될 것으로 전망되며, 중국 정부는 다음과 같은 정책 실행을 강화하게 될 것으로 전망됨.

우선, 파워 반도체 산업 발전 정책을 한층 더 완벽히 제정하고 실리콘 소재 파워 반도체 기술 개발을 대폭 추진함. 실리콘 소재 파워 반도체 소재, 칩, 디바이스 디자인과 제조 공법 프로세스 기술 개발을 지원하고, 산업 배치와 육성을 통해 실리콘 소재 IGBT 칩 기술 분야에서의 일정 기술 기반과 축적을 실현하고, 실리콘 소재의 6세대 파워 반도체 칩 제품 디자인 및 양산 공법 기술 개발을 중점적으로 추진하여, 파워 반도체 칩의 독자적인 공급을 실현하게 될 것임.

다음, 신소재 분야 중대 과제 해결을 중점적으로 추진하고, 빅 데이터 전송, 클라우드 컴퓨팅, AI 기술, 사물 인터넷 기술과 연동하여 새롭게 형성되는 거대한 파워 칩 시장 수요를 충족시킬 수 있는 기술 기반을 구축하고, 파워 반도체 분야에서의 실리콘카바이드(SiC)와 질화 갈륨(GaN) 등 신소재 응용을 강화하고 국제 수준과의 격차를 줄여 중국 내 기업체들이 중국 본토에서의 신속한 성장과 발전을 추진하게 될 것임.

셋째, 해외 파워 반도체 기업 인수를 신중히 추진하되, 기술을 완벽히 배울 수 없는 경우 관련 기술 보유 기업 인수를 추진하고, 국제 선진적인 파워 반도체 칩 디자인 및 제조 공법 기술을 보유하고 있는 기업 인수를 추진하는 동시에 해외 공장에서 제조한 제품이 중국에 수입할 때 발생하는 리스크 문제 해결을 추진하게 될 것임.