나노기술 및 정책 정보

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캘리포니아 대학교 산타 바바라(UC Santa Barbara) 연구팀은 FET(Field Effect Transistor)의 경우 무어의 법칙이 한계에 도달하였으며, 더 높은 집적도를 얻기 위해서는 네거티브 FET를 도입할 때라고 제안함. 전자 제품이 지속적으로 사용이 급증되고 정교해짐에 따라 집적 회로의 고집적화와 최소의 전력을 사용하는 전력 효율이 높은 반도체 장치 개발에 대한 경쟁이 갈수록 치열해지고 있음. 금속 산화물 전계 효과 트랜지스터(Metal-oxide Field-effect Transistors, MOSFET)는 이러한 혁신의 예임. 1960 년대에 개발된 이 제품은 저전력 소비, 확장성, 소형화 및 대량 제조가 용이하기 때문에 광범위한 전자 제품에 논리 스위치로 사용되어 왔었으나 이제 한계에 봉착한 상태임.

본 연구 성과는 ‘Nature Communications’ ("Is negative capacitance FET a steep-slope logic switch?")지에 게재됨