나노기술 및 정책 정보

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스위스 바젤 대학교(University of Basel) 연구팀이 반금속(Semimetal) 텅스텐 다이텔루라이드의 원자적으로 얇은 층은 결정의 가장자리에서 좁은 1 ​​차원 채널을 따라 무손실 전기를 전도함에 따라서 재료는 2 차 토폴로지 절연체로의 거동에 대한 실험적 증거를 얻음으로써 토폴로지 초전도성을 위한 후보 물질 풀을 확장함. 토폴로지 절연체는 미래의 전자 장치에서 초전도체로 사용될 수 있기 때문에 주요 연구 분야로 각광을 받고 있음. 이러한 재료의 내부는 절연체처럼 작동하지만 표면은 금속 특성을 가져 전기를 통함. 따라서 토폴로지 절연체의 3 차원 결정은 표면에서 전기를 흘리지만 내부에는 전류가 흐르지 않음. 또한 양자 역학으로 인해 표면의 전도도는 거의 무손실로 열을 발생시키지 않고 장거리까지 전기를 흘릴 수 있음. 이러한 재료 외에도 2 차 토폴로지 절연체로 알려진 다른 종류가 있음. 이들의 3 차원 결정은 특정한 결정 모서리만을 따라 전도성의 1 차원 채널을 갖고 있음. 이러한 종류의 재료는 특히 양자 컴퓨팅의 잠재적 응용에 적합함.

본 연구 성과는 ‘Nano Letters’ ("One-dimensional edge transport in few-layer WTe2")지에 게재됨