나노기술 및 정책 정보

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NIST와 메릴랜드 대학교(University of Maryland)의 공동연구팀이 원자 규모 장치를 제작하기 위한 단계별 레시피를 개발함. 이 지침을 사용하여 연구팀은 한 개의 단일 원자 트랜지스터를 제조하는 데에는 세계에서 두 번째며, 장치의 입체구조를 원자 규모로 제어하여 일련의 단일 전자 트랜지스터를 제조한 최초의 팀이 되었음. 개별 전자가 트랜지스터의 물리적 갭이나 전기 장벽을 통해 흐르는 속도를 정확하게 조정할 수 있음을 보여주었음. 이는 고전 물리학에서 충분한 에너지가 없기 때문에 전자가 흐를 수 없다고 예측한 바와 상이함. 양자 터널링 (quantum tunneling)으로 알려진 이 양자 현상은 미니어처 트랜지스터와 같이 간격이 매우 작을 때만 나타남.

본 연구 성과는 ‘Advanced Functional Materials’ ("Atom-by-Atom Fabrication of Single and Few Dopant Quantum Devices")지에 게재됨