EU [EU/R&D] 고에너지 효율의 새로운 표준으로 제시된 2D 재료 기반 트랜지스터
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- 발행기관
- Nanowerk
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- 종류
- 나노기술분류
- 발행일
- 2020-05-12
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- 3,443
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스위스 로잔 연방 공과대학교(EPFL) 연구팀은 트랜지스터의 에너지 효율을 높이기 위해 일련의 연구를 진행함. 스마트 폰, 랩탑 및 스마트 워치는 막대한 양의 에너지를 소비하지만 이 에너지의 약 절반 만이 실제로 중요한 기능에 전력을 공급하는 데 사용됨. 전 세계적으로 수십억 대의 장치가 사용되면서 상당한 양의 에너지가 낭비되고 있음. 인간의 두뇌는 20 와트 전구와 거의 같은 양의 에너지를 소비하나, 소량의 에너지를 소비 함에도 불구하고 뇌는 컴퓨터가 처리 할 수 있는 것보다 몇 배나 더 복잡한 작업을 수행 할 수 있음. 감각으로 제공되는 정보를 분석하고 지능적인 의사 결정 프로세스를 진행함. 연구팀의 목표는 인간 뉴런과 효율성이 유사한 휴대용 장치를 위한 전자 기술을 설계하는 것임.
본 연구 성과는 ‘2D Materials and Applications’ ("WSe2/SnSe2 vdW heterojunction Tunnel FET with subthermionic characteristic and MOSFET co-integrated on same WSe2 flake.")지에 게재됨
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