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이탈리아의 토르 베르가타 대학교(University of Rome “Tor Vergata”) 연구팀은 이방성 게르마늄 비소(GeAs)의 전기적 특성에 불순물이 어떤 영향을 미치는지를 밝힘. 이방성 2D 재료에서 대칭성이 감소하면 본질적으로 불균일한 전기, 광학, 열 및 기계적 반응이 발생. 결국 이들 재료는 디지털 인버터, 편광 민감성에 기반한 광검출기 및 열전 장치 등에서 각도 의존 장치를 새롭게 실현할 수 있음. 따라서 이러한 특성을 매우 자세하게 예측할 수 있어야함. 그러나 고급 기능 장치를 구현하려면 재료의 고유 특성에 대한 자세한 지식만으로는 충분하지 않음. 실제로, 고유 특성은 공석 및 결정립과 같은 재료의 구조적 결함뿐만 아니라 기판, 금속 접촉부 또는 표면 오염 물질의 존재와 같은 외부 요인에 의해 불가피하게 영향을 받게 됨. 또한, 이방성 2D 물질의 물리적 특성에 대한 불순물의 영향은 크게 연구되지 않고 있었음.

본 연구 성과는 ‘ Physical Review Applied’ ("Impact of Impurities on the Electrical Conduction of Anisotropic Two-Dimensional Materials")지에 게재됨