나노기술 및 정책 정보

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● Bao-Chuan Wang 교수(University of Science and Technology of China) 및 양자컴퓨팅 개발업체 오리진 퀀텀(Origin Quantum Computing Technology) 공동 연구팀은 고도로 결합되고 조정 가능한 2차원 실리콘 기반 양자점 배열 개발에 성공

● 연구팀은 중앙 장벽 게이트(Central Barrier Gate)를 포함한 2×2 실리콘 기반 양자점 배열 장치를 설계·제작하고 극저온에서 이 장치의 성능을 체계적으로 특성화해 각 양자점 내 전자가 독립적으로 채워지고 단일 전자 점유 상태로 조절될 수 있다는 사실을 발견

● 연구팀은 최근접 이웃 결합(Nearest Neighbor Coupling)은 넓은 범위에서 독립적으로 조절이 가능하고 차근접 이웃 결합(Next Nearest Neighbor Coupling)은 중앙 장벽 게이트를 통해 비대칭 조절이 가능한 점을 기반으로, 특정 결합을 선택적으로 차단하거나 활성화하여 양자점 배열을 다양한 결합 구조로 구성

● 본 연구는 실리콘 기반 양자점 배열을 양자 컴퓨팅과 양자 시뮬레이션을 위한 다기능 플랫폼으로 활용할 수 있을 것으로 기대

Nano Letters (2024.10.14.), Highly Tunable 2D Silicon Quantum Dot Array with Coupling beyond Nearest Neighbors