나노기술 및 정책 정보

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NTT(일본전신전화)가 세계 최고 속도로 동작하는 트랜지스터 개발에 성공함. 스위칭 전환이 초당 8000억 회로 동작하며, 기존보다 10% 정도 성능이 향상됨. 개발된 트랜지스터는 전자가 전해지는 속도가 실리콘계 보다 빠른 인듐 인화물계 화합물의 기판을 베이스로, 트랜지스터의 3가지 요소인 이미터, 베이스, 컬렉터의 재료로서 각각 인듐갈륨인, 인듐갈륨비소안티몬, 인듐인을 얇게 적층함. 베이스로 CPU에 사용되는 실리콘과 같은 소재를 사용할 경우 스위치 횟수는 1초에 100억 회 이하에 머무는 문제가 있었음. NTT는 독자적 결정 제작 기술을 발전시켜 베이스 층이 10nm, 컬렉터 층이 40nm인 극박(極薄) 구조를 실현함으로써 고속화에 성공함. NTT는 향후 개발한 트랜지스터를 대용량 통신이 가능한 광통신 및 차세대 무선 통신 ‘6G’로 응용하기를 기대하고 있으며, 5년 후 실용화를 목표로 하고 있음.