나노기술 및 정책 정보

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라인 베스트팔렌 아헨 공과대학교(RWTH Aachen University)와 프랑스 국립과학연구센터(ONERA-CNRS) 등의 공동연구팀이 대기압에서 단결정 육방정계 붕소 질화물을 크고 고품질로 성장시키는데 중요한 진전을 보임. 육방정계 질화 붕소 (hBN)는 그래핀 기반 장치에 활용되어 지난 10 년 동안 두 hBN 결정 사이의 '샌드위치' 그래핀이 장치의 품질과 성능을 크게 향상시킬 수 있다는 사실을 깨닫게 되면서 많은 진전이 있었음. 이 는 특정한 방위에서의 초전도성 및 독보적인 감도를 가진 센서의 개념 증명과 같은 특이한 효과의 발견을 포함하여 일련의 흥미진진한 발전의 길을 열어 왔음. 하지만 지금까지 hBN 결정은 고온 (1500 ° C 이상) 및 매우 높은 압력 (대기압 4 만 배 이상)에서만 성장되는 한계가 있었음.

본 연구 성과는 ‘2D Materials’ ("Excellent electronic transport in heterostructures of graphene and monoisotopic boron-nitride grown at atmospheric pressure")지에 게재됨