EU [EU/R&D] 게르마늄-틴의 초저임계값 연속파 레이저 최초 구현
페이지 정보
- 발행기관
- Nanowerk
- 저자
- 종류
- 나노기술분류
- 발행일
- 2020-03-25
- 조회
- 2,749
- 출처 URL
본문
프랑스의 C2N(Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies)과 독일의 FZJ (Forschungszentrum Jülich) 및 STMicroelectronics의 공동연구팀은 스트레인 게르마늄-주석 (GeSn) 합금으로 레이저 마이크로 디스크를 제조하는 새로운 재료 공학 방법을 구현함. 컴퓨터 칩의 트랜지스터는 전기적으로 작동하지만 데이터는 빛으로 더 빨리 전송 될 수 있기 때문에 연구원들은 레이저를 실리콘 칩에 직접 통합 할 수 있는 방법을 오랫동안 찾고 있었음.
본 연구 성과는 ‘Nature Photonics’ ("Ultra-low threshold cw and pulsed lasing in tensile strained GeSn alloys")지에 게재됨
- 이전글[EU/R&D] 복잡한 물체의 나노 셀룰로오스 기반 3D 프린팅 20.03.30
- 다음글[EU/R&D] 테라헤르츠 주파수의 고속 스위칭 가능한 새로운 메타 표면 20.03.30