나노기술 및 정책 정보

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중국과학원 금속 연구소 연구팀은 플렉시블 탄소 나노튜브 센서-메모리 디바이스를 개발하는데 성공. 반도체 특성을 보유하고 있는 탄소 나노튜브 박막을 채널 소재로 사용하고 균일하게 분산된 알루미늄 나노결정/산화알루미늄 통합 구조를 부동 게이트층과 터널층으로 사용하여 고성능의 플렉시블 탄소 나노튜브 부동 게이트 메모리를 개발하였는데 0.4%의 굽힘 응력 하에서 디바이스의 읽기-쓰기와 삭제 간의 전류 스위치 비례는 10^5 수준을 초월하고 메모리 안정성은 108s 수준을 초월하는 것으로 나타났음. 동시에 비교적 얇은 산화알루미늄 터널층은 삭제 상태로 알루미늄 나노결정 부동 게이트 속 캐리어에 "구속"되어 있는데 알루미늄 기능 함수의 광조사 에너지를 초월할 때 직접 터널 방식을 통해 채널 속에 다시 돌아오게 되는 것으로 나타났음. 본 연구 성과는 ‘Advanced Materials’ (“A flexible carbon nanotube sen-memory device”)지에 게재됨