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지난 2월 28일, 중국 국유기업인 "중국 전자 과학기술 그룹 유한회사(CETC)"는 중국 산시성(山西省) 타이위안시(太原市)에서 중국 최대 규모의 "실리콘 카바이드(SiC) 소재 산업 기지(基地)" 현판식을 개최하고, 관련 생산라인을 공식 가동하여 이슈가 되고 있음.

이번에 구축된 "실리콘 카바이드(SiC) 소재 산업 기지(基地)"의 1기 공사 건축 면적은 2.7만㎡에 달하며, 600대에 달하는 실리콘 카바이드 단결정 생산로(爐)(Silicon carbide single crystal production furnace)와 18만 장의 n-타입 웨이퍼 가공 검출 능력을 보유하고 있으며, 7.5만 장에 달하는 실리콘 카바이드 웨이퍼 생산능력을 갖출 수 있기 때문에 선진국이 실리콘 카바이드 기술과 산업을 독점하던 국면을 전환시키고 중국은 완전히 독자적인 실리콘 카바이드 공급을 실현할 수 있게 되었음.

이번에 구축된 "실리콘 카바이드(SiC) 소재 산업 기지(基地)"는 중국에서 3위권, 세계에서 10위권에 속하는 실리콘 카바이드 생산 거점으로 부상하였으며 연간 10억 위안에 달하는 생산 규모를 실현할 수 있게 될 것으로 전망됨.

"중국 전자 과학기술 그룹 유한회사(CETC)"는 현재 산시성(山西省) 타이위안시(太原市)에 "전자정보 과학기술 혁신 산업 단지"를 구축하여 운영하고 있음. 이 단지에 "3세대 반도체 기술혁신 센터", "실리콘 카바이드 소재 산업 기지", "전자 장비 스마트 제조 산업 기지", "에너지 산업 기지"를 구축하고 운영하여, 관련 제품의 연간 생산액은 100억 위안 규모에 달할 것으로 전망됨. 더불어 업 스트림 기업들을 대량 유치하여 전자 장비 제조 산업 클러스터와 3세대 반도체 산업 생태 체인을 형성함.

이번에 구축된 "중국 전자 과학기술 그룹 유한회사(CETC)"의 "실리콘 카바이드(SiC) 소재 산업 기지(基地)"는 고순도 실리콘 카바이드 파우더 소재 제조 공법, 4인치 고순도 반(半) 절연 실리콘 카바이드 단결정 기판 제조 공법을 이미 확보한 상황이며, 실리콘 카바이드 파우더 소재 제조, 결정체 성장, 웨이퍼 가공, 에피택시(Epitaxy) 검증을 통합한 실리콘 카바이드 소재 연구개발 및 제조 라인을 구축함. 중국에서 최초로 고순도 실리콘 카바이드 소재, 고순도 반(半) 절연 웨이퍼 양산을 실현한 상황임.