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토호쿠대학(東北大學) 대학원 공학연구과 지능디바이스 재료학전공 등의 연구그룹이 MnTe 화합물 박막이 모듈 가열 및 레이저 가열과 같은 고속 가열에 의한 다형 변화에 따라 큰 전기적·광학적 특성 변화(전기 저항 : 2자리 ~3자리 변화, 광학 반사율 : 25% 변화)를 나타내는 것을 발견함. 

특히 MnTe 다결정 박막은 10ns 정도의 고속 쥴 가열에 의해 가역적인 저항 스위칭 현상(상전이에 의해 두 자릿수 이상의 저항 변화를 보임)을 나타내고, 또한 임의의 원자 확산을 필요로 하지 않기 때문에 상전이에 필요한 에너지는 매우 작음. 현재 Ge-Sb-Te 박막의 아몰퍼스상/결정상의 상변화에 따른 저항 변화를 이용한 비휘발성 상변화 메모리가 주목 받고 있는데, 본 메모리에 대해 동작 에너지를 1/20 정도까지 저감할 수 있음을 증명함. 

본 다형 변화는 특정 원자면이 특정 방향으로 미세하게 어긋나는 것만으로도 발생하며 가역적으로 발생하기 때문에 초에너지 절약·초고속 비휘발형 메모리의 새로운 재료로서 기대됨. 

본 연구 성과는 Nature Communications 온라인 판에 공개됨.(Reversible displacive transformation in MnTe polymorphic semiconductor)