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도쿄공업대학(東京工業大學) 과학기술창성연구원 프론티어재료연구소 등의 공동 연구그룹이 망간·구리·세륨·산소로 이루어진 초고압상의 산화물(화학식: CeCu₃Mn₄O₁₂)을 고품질의 박막으로 합성하는 데 성공함. 실험을 통한 합성과 제1원리계산에 의한 예측을 통하여 CeCu₃Mn₄O₁₂ 박막의 결정 격자에 미치는 왜곡 영향을 조사한 바, 면 내에 압축 변형을 인가함으로써 수직자화막이 되는 것을 발견함. 수직자화막은 고기록밀도 자기메모리 및 스핀트로닉스에 있어 중요한 특성으로, 본 연구는 새로운 전기·자기 기능 재료의 개발로 이어질 것으로 기대됨.

본 연구 성과는 Applied Electronic Materials 에 게재됨.