나노기술 및 정책 정보

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중국과학원 반도체 연구소는 장기간 반도체 조명 관련 메인 핵심기술 개발을 추진해 온 동시에 산업계와 연동하여 산업화를 추진해온 상황이며, 관련 연구개발 성과와 산업화 성과는 2020년 1월 "중국 국가 과학기술상"을 수상한 상황임.

중국과학원 반도체 연구소는 "반도체 조명 연합 혁신 국가 중점 실험실"을 플랫폼으로 하고, 중국내 반도체 조명 분야 핵심업체와 공동으로 기초연구, 공통 핵심기술 개발을 추진하고 산업화를 추진함으로써 효율적인 LED소재, 칩, 패키징을 포함한 전체 체인 기술 산업화를 추진하고 반도체 조명 핵심 디바이스 국산화를 실현한 상황임.

중국과학원 반도체 연구소는 중국 "산안(三安) 광전자 주식 유한회사"와 산학연 협력을 추진하고 레이저 유도 광추출 기술을 개발하고 관련 에피텍시얼칩(Epitaxial Chip) 기술 산업화를 추진하고 반도체 조명 제품 양산을 실현한 상황임.

중국과학원 반도체 연구소와 중국 "산안(三安) 광전자 주식 유한회사"는 공동으로 초고(초고)휘도 LED 에피텍시얼(Epitaxial) 소재 구조, p-GaN 도핑 기술, 칩 도형, 전극패턴, 칩제조 공법, 칩과 기판 연결 방식 등 분야에서 독자적인 지적재산권을 보유한 기술을 개발하고 확보하였으며, 전극제조, 에칭, 기판, 레어지 절단 분야에서 효율적이고 저렴하면서 성숙된 공법을 개발한 상황임.

중국과학원 반도체 연구소와 중국 "산안(三安) 광전자 주식 유한회사"는 현재 공동으노 질화갈륨(Gallium Nitride) LED 에피텍시얼칩(Epitaxial Chip), 고급 갈륨비소(Gallium Arsenide) LED Epitaxial Chip, Mini/Micro LED 칩, 차량용 LED 조명 관련 기술과 제품개발을 지속적으로 추진하고 있으며, 5G통신 환경 하에서의 8K 디스플레이용 Mini LED/Micro LED 개발을 추진하여 중국 자체의 조명산업 업그레이드를 추진하고 있는 상황임.