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중국 난징(南京) 대학교 연구팀이 초(超) 평편 그래핀 박막을 개발하고 양성자 보조 성장을 고품질의 그래핀 제조에 응용하는데 성공함.

연구팀이 취득한 성과와 관련되어 있는 화학 기상증착 방법(CVD)으로 그래핀을 성장시키는 방법은 현재 대면적, 고품질의 단일 결정 입자 혹은 박막을 제조하는 제일 주요한 방법에 속하지만 그래핀과 기판 재료는 강한 커플링 역할을 발휘할 수 있기 때문에 그래핀으로 하여금 성장 과정에서 주름이 생기는 단점이 있었음. 연구팀은 이번 연구를 통해 그래핀 박막은 초(超) 평편 특성을 보유하고 있기 때문에 그래핀 표면의 기타 물질을 제거할 수 있으며, 특히 그래핀 이전 과정에서 생성되는 이전 개질인 PMMA가 남아있을 때 평편한 강점을 보유할 수 있다는 점을 발견하였음.

연구팀이 개발한 초 평편 그래핀 박막 제조 방법은 플렉시블 전자학, 고 주파수 트랜지스터 등 더욱 중요한 연구 분야에 폭넓게 응용할 수 있을 것으로 전망됨.

본 연구 성과는 ‘Nature’ 지에 게재됨.