나노기술 및 정책 정보

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스위스, 취리히 연방 공과대학교(ETH Zurich) 연구팀이 나노 일렉트로닉스 장치와 그 특성을 효율적으로 시뮬레이션 할 수 있는 방법을 개발함.

기존의 소자에 사용되는 Fin 전계효과 트랜지스터(FinFET)의 경우 적은 면적에서 고전류 밀도에 노출됨으로써 칩 내부 가열로 인한 문제점을 안고 있었음. 때문에 해당 연구팀은 OMEN이라는 양자전송시뮬레이터를 이용하여 트랜지스터를 시뮬레이션하는 연구를 진행함. 해당 연구에서는 원자분해능과 양자역학적 레벨에서 트랜지스터를 시뮬레이션하고, 전류가 트랜지스터를 통해 흐르는 방식과 전자가 결정진동과 상호작용하는 방식을 시각화하여 연구자들이 열이 생성되는 위치를 정확하게 식별할 수 있도록 이미지를 제공함.