자료실
National Nanotechnology Policy Center

나노기술 및 정책 정보

EU [유럽/R&D]h-BN을 이용한 전자 터널링 현상 측정

페이지 정보

발행기관
Phys.org
저자
 
종류
 
나노기술분류
 
발행일
2019-12-12
조회
2,632

본문

영국, 맨체스터 대학교(University of Manchester)가 육방정계 질화붕소(h-BN)를 장벽으로 사용하여 전자이동에 대한 Marcus-Hush 전자 이동 이론을 증명함.

연구팀은 액체 용액과 흑연 전극 사이에 육방정계 질화붕소를 장벽으로 형성하였으며, 초미세 전극에서의 전기화학적인 거동을 실험상으로 입증함.

해당 연구는 반응 메커니즘의 식별, 표면 개질, 장거리 전자 이동과 같은 과학적 문제를 해결하기위해 새로운 실험 플랫폼을 제공할 것으로 기대됨.

본 연구 성과는 ‘ACS Nano’에 게재됨