일본 [일본/R&D]정보 기억 소자 구조의 시각화에 성공
페이지 정보
- 발행기관
- 홋카이도대학
- 저자
- 종류
- 나노기술분류
- 발행일
- 2019-11-08
- 조회
- 2,298
- 출처 URL
본문
홋카이도대학(北海道大學) 전자과학연구소 등의 공동 연구그룹이 전류와 자기 정보 기억 소자용 재료의 전기 화학적 산화 반응을 시각화하는 데 성공함.
연구진은 2013년경부터‘산소 스폰지’라 불리는 코발트산 스트론튬 박막의 산화·환원 반응을 이용한 전류와 자기 정보 기억 소자의 개발에 착수하여 2016년 소자 구조 제안 및 프로토 타입 제작에 성공했지만, 정보 전환의 가속화가 과제였음. 전기 화학 반응에서 시간에 관한 문제를 해결하기 위해서는 화학 반응식 같은 원자 스케일이 아닌 거시적 스케일에서 재료의 산화·환원 반응을 가시화해야 함. 코발트산 스트론튬의 경우, 재료 과학 분야에서 일반적으로 사용되는 투과형 전자현미경 관찰을 적용할 수 없었음. 연구진은 열전 특성(전기 저항·열전능)의 계측 및 전도성 원자힘현미경(전도성 AFM) 관찰을 융합한 새로운 시각화 기법에 의해 코발트산 스트론튬 박막의 전기 화학적 산화 반응을 거시적 스케일에서 시각화하는 데 성공함.
본 연구 성과는 코발트산 스트론튬 박막을 이용한 차세대 정보 기억 소자의 개발을 가속화할 뿐만 아니라 투과형 전자현미경 관찰을 적용할 수 없는 재료의 전기 화학적 산화·환원 반응의 시각화를 가능하게 할 것으로 기대됨.
본 연구 성과는 Advanced Materials Interfaces에 게재됨.
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