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오스틴 텍사스 대학교(University of Texas at Austin) 연구팀이 안티모니(Sb)를 이용해 실리콘 소자를 대체할 소재를 개발함.

기존의 트랜지스터에 사용되는 실리콘의 경우 칩의 크기가 너무 작아질 경우 전자 장치에 응용될 수 없을 것으로 판단했음. 때문에 연구팀은 크기가 작아진 소자에도 응용이 가능할 수 있는 실리콘의 대안 전자재료를 개발하고자 노력함. Sb는 적외선 탐지기와 같은 일부 반도체 장치의 전자 장치에 이미 사용되는 반 금속 재료로서, 원자 이중층의 두께로 사용가능하며, 높은 전하 이동도에 의해 전기장에 의해 전하가 끌어당겨질 때 재료를 통과하는 속도 즉, 전하이동도가 실리콘을 포함하여 비슷한 크기의 다른 반도체보다 훨씬 높음. 이 속성은 실리콘 후 전자 제품의 빌딩 블록으로 유망할 것으로 기대됨. 특히, 여러 방향으로 전자가 산란하는 다른 재료들과는 달리 2D 안티모니 재료의 전자는 순차적으로 움직이며 높은 전하 이동도를 제공함.

연구팀은 이론적인 계산 방법을 통해서만 잠재력을 입증했지만 다음 단계로 물리적 안티몬 샘플로 테스트 할 때 동일한 특성을 보여줄 것으로 기대함.

본 연구 성과는 ‘Journal of american chemical Society’ 지에 게재됨