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영국, 카디프 대학교(Cardiff University) 연구팀이 화합물 반도체 재료의 표면에 이전에 없었던 불안정성을 발견하며, 일반적으로 사용되는 화합물 반도체 물질인 갈륨비소(GaAs) 표면이 기존의 판단만큼 안정적이지 않은 것을 밝힘.

GaAs의 원자 구조에서 나타나고 사라지는 경향이 있는 불안정성을 발견함. 이는 전이성이라고 불리며, 이번 연구에서 GaAs 소재 표면에서 처음으로 관찰됨. 해당 분자 규모의 현상이 반도체 소자 구조 성장에 미치는 영향을 규명하는 것이 기존 화합물 반도체 장치의 결함을 줄일 수 있을 것으로 기대됨.

본 연구 성과는 ‘Physical Review Letters’ 지에 게재됨