나노기술 및 정책 정보

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도쿄공업대학(東京工業大學) 물질공학원재료계 연구그룹이 단일입자분광측정을 이용하여 페로브스카이트 나노 입자를 발광 재료로 이용한 발광 다이오드(LED)에서의 낮은 전광(電光)변환 효율의 원인을 규명함. 연구진은 단일입자분광측정방법을 이용, LED 구동 시에는 나노 응집체 중 일부 나노 입자 쪽으로 전하와 에너지가 이동하여 일부 특정 나노 입자에서만 발광이 발생하는 것을 규명했으며, 발광을 나타내는 일부 나노 입자는 블링킹(blinking, 점멸표시 되는 것)이 생기기 쉽고, 블링킹에 의해 소광(消光) 시간이 증가하며 전기에너지가 빛으로 변환되기 어려운 것을 확인함. 페로브스카이트계 나노 입자의 일부는 선명하면서 고효율 발광을 나타내기 때문에 박막 디스플레이나 레이저용 발광 재료로서 기대되고 있으나 고효율로 발광하는 입자의 나노 응집체를 박막 LED의 발광층으로 사용할 경우 LED 구동시 발광 효율이 종종 현저하게 저하됐으나, 본 연구를 통해 그 원인을 규명하게 됨.

본 연구 성과는 Nature Communications 온라인 판에 게재됨.