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나노기술 및 정책 정보

중국 [중국/R&D]라쉬바 특성을 가진 재료 개발에 성공

페이지 정보

발행기관
중국과학원(中国科学院)
저자
 
종류
 
나노기술분류
 
발행일
2019-10-29
조회
2,270

본문

중국과학원 닝보(寧波) 재료기술 및 공정 연구소 산하 나노 사업부 연구팀은 지난 2016년도부터 각도 식별 광전자 에너지 스펙트럼(Angle-Resolved PhotoEmission Spectroscopy, ARPES)에 대한 연구를 실행하며 성과를 취득함.

연구팀은 2년간의 노력을 거쳐 선진적인 각도 식별 광전자 에너지 스펙트럼 시스템에 대한 정상 가동을 실현함. 연구팀은 ARPES Spin-ARPES를 이용하여 최초로 PtBi2 재료에서 3차원 라쉬바(Rashba)형 스핀 분열 현상(스핀 궤도 결합의 일종. 구조 반전 비대칭으로 인해 발생하게 됨.)을 발견하였음. 동시에 ARPES 결과와 제1원리(first principles) 계산을 통해 마이크로 전자 구조 각도에서 동 스핀 분열의 주요 근원, γ-PtBi2 결정체 구조(공간 그룹(Space group)) 중심의 반전 대칭성 결함이 발생하게 되는 원인 규명을 하였음.

해당 연구를 바탕으로 응용 분야에서 3차원 Rashba를 보유하고 있는 재료로 인해 스핀 전류의 3차원 제어 등 새로운 특징을 구현할 수 있을 것으로 기대됨.

본 연구 성과는 Nature Communications에 게재됨