나노기술 및 정책 정보

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국가 공업 및 정보부는 중국 정치협상 위원회 13기 전국 위원회 제2차 회의 제2282호(공교우전 유형(公交郵電類) 256호)제안에 대한 답변을 하면서 "다음 단계에 국가 공업 및 정보부와 관련기관들은 지속적으로 중국 공업 반도체 재료, 칩, 디바이스 및 IGBT 모듈 산업 발전을 지원하는 정책 실행을 강화할 것이며, 산업 발전 형세에 따라 관련 지원 정책 실행 세부 내용을 조정하고, 중국 내 기업, 연구기관 등을 유도하여 선진국의 산·학·연 기관과 전략적인 협력을 진행하도록 하고, 국가 교육부와 협력하여 반도체 관련 인재 육성과 인재 역량 강화를 대폭 추진하고, 중국 집적회로 1급 학과 육성과 발전을 대폭 추진할 것"이라고 강조함.

현재 중국의 공업 반도체 재료, 칩, 디바이스 및 절연 게이트 양극성 트랜지스터(Insulate-Gate Bipolar Transistor, IGBT) 모듈 산업 발전이 뒤떨어져 있는데 이런 상황은 최근 직면하고 있는 복잡한 국제 형세와 더불어 중국의 신구(新舊) 동력 변환 및 산업 구조 조정을 제약하고 있으며, 더 나아가 전체 국가 경제 발전에 심각한 영향을 끼치고 있는 상황임. 집적회로는 고도로 국제화, 시장화 된 산업이기 때문에 자원 통합, 국제 협력은 신속하게 산업 발전 능력을 향상시키는 중요한 루트가 되고 있는데 이런 특징에 근거하여 중국 국가 공업 및 정보부는 관련 부처들과 협력하여 중국 내 기업, 대학교, 연구기관들로 하여금 선진국과의 교류와 협력을 강화할 수 있도록 지원하고 있음. 중국 국가 공업 및 정보부는 단계를 나누어 핵심기술 성과를 취득하기 위한 노력을 지속적으로 해 나갈 전망이며, 중국 공업 반도체 분야의 성숙된 기술 발전을 지속적으로 지원하고, 중국 칩 제조 분야의 합격률, 생산량의 향상을 추진할 것이며, 적극적으로 신 재료 및 차세대 제품 기술 연구 개발을 배치, 추진하여 중국의 공업 반도체 재료, 칩, 디바이스, IGBT 모듈 산업 발전을 추진해 나갈 전망임.