나노기술 및 정책 정보

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코넬 대학교(Cornell University)의 연구팀이 질화 갈륨(GaN) 반도체를 이용하여 전자이동 및 무선 통신이 가능한 고밀도, 고전도성의 2차원 정공가스를 생성하고, GaN 반도체의 전류 흐름을 향상시키며 P형 GaN 트랜지스터를 시연함.

연구진은 질화 알루미늄(AlN)기판에 수직성장된 GaN에서 분극에 의해 유도된 전하 캐리어를 형성시켰고, 고밀도의 2D 정공 가스를 관찰함. 이는 도펀트 없이도 정공 가스가 형성될 수 있음을 보여주며, 광대역 질화물 계면 원자의 밴드구조와 전공 수송 특성을 연구하는 실마리를 제공한 것으로 여겨짐.

본 연구 성과는 ‘Science’ 지에 게재됨