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나노기술 및 정책 정보

일본 [일본/R&D]2종류의 고온 초전도를 이용해 30테슬라 이상의 높은 자기장 발생에 성공

페이지 정보

발행기관
이화학연구소
저자
 
종류
 
나노기술분류
 
발행일
2019-09-28
조회
2,445

본문

이화학연구소(RIKEN) 방사광과학연구센터 NMR 연구개발부문 초고자장자석개발팀 등의 공동 연구그룹이 고온 초전도선재를 나선 모양으로 감은 초전도자석에 있어 지금까지 불가능했던 30 테슬라 이상의 높은 자기장을 발생시키는 데 성공함. 연구진은 초전도 자석에 안쪽으로부터 

1. 고자장에서의 초전도 특성이 우수하지만 코일화가 어려운 희토류(RE)계 고온 초전도선재를 감은 내층 코일

2. 고자장의 특성은 다소 떨어지지만 코일 화하기 쉬운 비스무트(Bi)계 고온 초전도선재를 감은 중층 코일

3. 공업 제품으로서 확립된 금속계 저온 초전도선재를 감은 외층 코일

3층 구조를 배치함으로써, 자기장 발생 효율을 최대로 높여 31테슬라라는 고자장을 실현했으며, 이는 나선 모양으로 감은 초전도 자석으로는 최고 기록임. 높은 자기장 발생의 요점이 되는 RE계 고온 초전도 코일은 소실이 생기기 쉽다는 문제가 있었는데, 절연 없는 RE계 고온 초전도 선재를 나선 모양으로 코일에 감아, 층간에 구리 및 폴리머 복합 시트를 끼워 넣는 새로운 제조법을 적용하여 소실 방지에도 성공함. 본 연구 성과로 신약 개발 및 의료계 공헌이 크게 기대되는 차세대 1.3기가 헤르츠(30.5테슬라 상당) 핵자기공명(NMR) 장치 개발을 위한 핵심 기술 요구 사항이 충족됨으로써 그 실현이 기대됨.