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독일, 페르디난트-브라운 연구소 (Ferdinand-Braun-Institut) 연구팀이 높은 전력 성능을 가진 광대역 밴드갭 반도체 재료 β-Ga2O3를 이용해 높은 전력 밀도와 효율을 가진 고전압 스위칭 장치를 개발함.

연구진에 의해 개발된 β-Ga2O3-MOSFET(금속 산화물 전계 효과 트랜지스터)은 높은 전도성과 높은 항복 전압을 제공함. 1.8 kV의 항복 전압과 155 MW/cm2의 성능을 보이며, 달성된 파괴 전계 강도는 SiC 또는 GaN과 같은 기존의 반도체의 강도보다 현저히 높았음. 연구진은 β-Ga2O3를 제작하기 위해 호모에피텍셜 성장(단일 물질 결정축 성장)법을 이용하는데, 해당 방법으로 제작된 β-Ga2O3 층은 결함 밀도가 감소되고 전기적 특성이 강화되어, 이로 인해 게이트 온 상태에서의 비저항을 낮추는데 성공함.

본 연구 성과는 ‘IEEE Electron Device Letters’ 지에 게재됨