나노기술 및 정책 정보

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화워이(華爲) 그룹이 최근 3세대 반도체 재료 실리콘 카바이드(SiC) 기판을 개발하는 "산둥(山東) 톈웨(天嶽) 선진 재료 유한회사"에 대한 투자를 실행하여 10%의 주식을 보유하며 SiC 재료 개발을 추진함.

SiC 실리콘 카바이드를 대표로 하는 3세대 반도체는 넓은 밴드 갭, 높은 열전도율, 높은 절연 파괴 전계 강도, 높은 포화 전자 이동 속도, 안정적인 화학성능, 높은 경도, 내마모성, 높은 에너지 및 복사 저항 등 강점을 보유하고 있기 때문에 고온, 고주파수, 높은 파워, 복사 저항, 큰 파워와 높은 밀집정도의 집적회로 전자 디바이스에 폭 넓게 응용할 수 있다고 함. "산둥(山東) 톈웨(天嶽) 선진 재료 유한회사"는 현재 세계 네 번째 SiC 기판 재료 양산 기업에 속하는 동시에 전기 전도 형태와 높은 순수도의 반절연 등 두 가지 공법을 보유하고 있으며 사이즈는 2~6인치에 달하고 있는 상황임. SiC를 대표로 하는 3세대 반도체는 향후 높은 파워의 고주파수 전자 디바이스, 반도체 발광 다이오드(LED) 및 5G 통신, 물류네트워크 등 마이크로파 통신 분야에 폭 넓게 응용될 것으로 전망되며, 특히 중국의《국가 중장기 과학기술 발전 계획 강요(綱要)》에 포함되어 있는 중점 육성 산업 중의 하나로서 중국 국가 경제 발전에서 중요한 지위를 차지하고 있음. 중국 내 시장의 대부분 SiC 파워 디바이스는 외국으로부터의 수입에 의존하고 있는 상황이며, SiC 재료 분야에서 중국 내 몇 개 업체들만 SiC 기판 재료와 에피택셜 재료 연구 개발에 종사하여, SiC 파워 디바이스 분야에서 비록 칭화(淸華) 대학교, 중국과학원 등이 SiC 재료 및 디바이스 관련 연구 과제를 실행하고 있지만 주로 이론연구 및 실험실 연구 성과에 제한되어 있음. 중국 내 SiC 재료 산업에 종사하고 있는 기업체들은 외국의 SiC 산업을 따라 잡기 위한 노력을 하고 있으며, 특히 최근 산업체인 분야에서 중국 내 기업체들은 단결정 기판, 에피택셜 웨이퍼(epitaxial wafer), 디바이스 디자인, 디바이스 제조 등 분야에서 새로운 성과를 취득하고 있음.

SiC 외 현재 실리콘 칩은 7 nm 폭에 도달하고 있는데, 이는 이미 임계 변두리에 도달한 상황이지만, 그래핀은 원자 두께 밖에 안 되며 세계에서 제일 얇고 전기 전도성이 제일 강한 재료에 속하기 때문에 재료분야 차세대 혁신재료로 평가받고 있음. 화워이(華爲)는 영국에서 맨체스터 대학교와 공동으로 "그래핀 응용 연구"를 실행하였으며, 공동으로 "ICT 분야 차세대 고성능 기술" 개발을 추진해온 상황이며, 맨체스터 대학교와의 공동 연구개발 및 협력을 통해 주로 그래핀 분야 혁신 성과를 취득하고 관련 연구개발 성과를 소비전자 제품과 모바일 통신 설비에 응용할 계획임.