일본 [일본/R&D]3차원 양자점 구조 실현을 통해 InGaAs 나노 원반 구조를 세계 최초로 관찰
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- 발행기관
- 도쿄대학
- 저자
- 종류
- 나노기술분류
- 발행일
- 2019-09-02
- 조회
- 2,375
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도쿄대학(東京大学) 대규모집적시스템설계교육연구센터 (VDEC)의 연구팀이 공동연구를 통해 바이오 템플릿 기술과의 융합을 통해 결함이 적은 나노 크기의 저농도 인듐 갈륨비소/갈륨비소(InGaAs/GaAs) 원반 구조(양자점)을 갖는 주상 구조(Nano Pillar)를 제작하는 데 성공함. 또한 유기금속기상성장법을 이용하여 나노 크기의 InGaAs/GaAs 원반 구조를 갖는 나노필러를 갈륨비소에 넣어 재성장시키는 데 성공함으로써, 드라이 에칭으로 제작한 세계에서 가장 작은 InGaAs 나노 원반 구조를 제작함. 광 발광(Photoluminescence)의 온도 의존성 측정을 통해 드라이 에칭으로 제작한 InGaAs 나노 원반 구조로부터 파장 폭이 넓은 발광을 실현함. 갈륨비소 등의 화합물 반도체는 실리콘에 비해 빛의 발광 효율 및 흡수 효율이 매우 높고, 특히 화합물 반도체 양자점은 나노 스케일의 구조로부터 발생하는 양자 효과에 의해 보다 단색화된 고강도의 빛을 저소비 전력이면서 온도의 영향을 적게 받으면서 발광하기 때문에 단일 광자 광원 등으로의 응용이 기대됨.
본 연구 성과는 ACS Applied Electronic Materials에 게재됨