나노기술 및 정책 정보

• 목록

도쿄공업대학(東京工業大学) 연구팀이 최근 새로운 발광 재료로서 주목 받고 있는 페로브스카이트형 할로겐화물을 이용해, 저전압으로 구동하는 고휘도 페로브스카이트 LED(PeLED)를 개발하는 데 성공함. 전극으로부터 캐리어를 주입하고 발광층 내에서의 이동을 모두 촉진하는 새로운 접근 방식으로 LED의 고성능화를 달성함. 개발된 아몰퍼스 Zn-Si-O는 CsPbX3의 전도대 하단보다 얕은 위치에 전도대 하단을 가짐으로써 여기자 감금이 가능하며, 높은 전자 이동도로 인해 효율적인 전자 주입이 기대됨. 이를 바탕으로 제작된 CsPbBr3의 녹색 발광 소자는 2.9V에서 10,000cd/m2, 5V에서 500,000cd/m2에 이르는 저전압 고휘도를 실현함. 또한 적색 발광 소자에서는 20,000cd/m2라는 세계 최고 수준의 휘도를 얻음. 연구진은 CsPbX3을 발광층으로 이에 적합한 전자 수송층을 이용함으로써 전극에서의 캐리어 주입과 발광층 내에서의 이동을 모두 촉진하는 새로운 접근 방식으로 LED의 고성능화를 도모함. 본 성과는 PeLED의 실용화를 향한 새로운 방향을 제시할 것으로 기대됨. 본 연구 성과는 ‘Applied Physics Reviews’ 지에 게재됨