나노기술 및 정책 정보

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아르곤 국립연구소(Argonne National Laboratory) 연구팀이 반도체 산업을 위해 사용되는 원자층 증착법(ALD)을 방사능 물질을 코팅하는 방법으로 사용하여 원자로의 치명적인 방사선 노출을 저감함.

해당 기술은 ALD를 사용하여 저 농축 우라늄-몰리브덴 (U-Mo) 분말 위에 직접 코팅으로서 질화지르코늄(ZrN)을 증착함. 코팅은 중성자가 침투 할 수 있을 정도로 얇으며, 일반적으로 연구용 원자로 연료 시스템의 주요 구성 요소인 알루미늄(Al)과의 상호 작용에 의해 연료가 분해되는 것을 차단함. ALD로 증착을 진행할 경우 채널 내에 공동을 남기지 않고 표면에 밀착하여 증착이 가능하며, 기계적 마모와 고온을 더 잘 견딜 수 있을 것으로 여겨짐.