나노기술 및 정책 정보

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□ 반도체 산업은 현재까지 3개 단계를 거쳤는데 1세대 반도체 재료인 실리콘, 2세대 반도체 재료인 갈륨비소(GeAs), 3세대 반도체 재료로는 실리콘 카바이드(silicon carbide, SiC), 질화갈륨(gallium nitride, GaN), 산화아연(zinc oxide, ZnO)가 있음. 해당 재료들은 재료는 넓은 밴드 갭(band gap), 높은 관통 전기 필드(breakdown electric field), 높은 열 전도율, 높은 전자 포화 속도 및 강한 복사 저항 능력 등 장점을 보유하고 있음. 반도체 조명, 차세대 모바일 통신, 스마트 그리드, 고속 궤도 교통, 신에너지 자동차, 소비 유형 전자 등 분야에서 밝은 응용전망을 보유하고 있으며, 정보, 에너지, 교통, 국방 등 발전을 지원할 수 있는 중점 신 재료로 활용됨.

□ 중국 광둥성(廣東省) 선전시(深圳市)는 지난 2018년도 선전시(深圳市)의 연구개발 투입이 GDP에서 차지하는 비중과 PCT 국제특허 신청 건수는 중국에서 선두 지위를 차지하고 있으며, 국가 레벨의 "하이테크 기업체" 수량은 중국에서 2위를 차지하는 “국가 레벨의 지속 발전 가능한 혁신 시범 도시”임. 최근 선전시(深圳市)는 선후로 《전략적 이머징 산업을 한층 더 신속하게 발전시킬 데 관한 실행 방안》과 《집적회로 산업을 발전할 데 관한 부분적인 조치》 등 정책들을 제정, 실행하여 "하이스(海思) 반도체 회사", "중싱(中興) 마이크로 전자 회사"를 대표로 하는 IC 디자인 기업체, "중신(中芯) 국제 회사", "선아이(深愛) 반도체 회사"를 대표로 하는 반도체 칩 제조 기업체 및 "사이이파(賽意法) 마이크로 전자 회사", "바이워이(佰維) 메모리 과학기술 회사", "스촹이(時創) 전자 회사" 등을 대표로 하는 패키징 테스트 기업체들을 집중 육성하는 등 반도체 산업 발전을 지원, 유도하고 있으며, 정부, 기업 및 시장 등 주체 역할을 충분하게 발휘시켜 반도체 산업 발전 과정에서의 중점 난제 해결과 반도체 산업의 전체적인 발전을 추진하는 등 경제 발전방식 전환, 국가 안전보장, 종합 국력 향상을 위해 유력한 지원을 제공하고 있음. 이를 바탕으로 3세대 반도체 산업 발전을 추진하며 반도체 산업 클러스터를 구축하고 반도체 산업의 발전을 촉진할 계획임.