나노기술 및 정책 정보

• 목록

러시아, 모스크바 물리기술연구소(Moscow Institute of Physics and Technology) 연구팀이 살아있는 뇌처럼 작용하여 정보를 저장하고 오랫동안 액세스하지 않으면 점차 잊어버리는 인공 시냅스를 제작함.

기존에 제안된 2차 멤리스터는 시냅스 가소성을 갖췄으며, 이는 멤리스터 전체에 나노 크기의 전도성 브리지를 형성하여 처음에는 저항이 감소하는 반면 시간이 지남에 따라 자연스럽게 부패하여 건망증을 모방함. 해당 실험은 시간이 지남에 따라 장치의 동작이 변화하고 장기간 작동 후 고장이 발생한다는 문제가 있었음. 그러나 연구진은 나노 브릿지 대신에, 내부의 전기 분극은 외부 전기장에 따라 변화하는 강유전체인 산화 하프늄(HfO2)을 사용함. 전기장이 제거되면, 재료는 분극을 유지하고, 강자성체는 자화된 상태를 유지함. 해당 연구에서 2차 멤리스터를 두 개의 HfO2막으로 구현함. 이 장치는 전기 펄스에 의해 저 저항 및 고 저항 상태 사이에서 스위칭 될 수 있고, 강유전체 필름의 분극 및 저항을 변화시킴.

해당 연구진은 비휘발성 랜덤 액세스 메모리 셀을 안정적으로 만들기 위해 하프늄 산화물의 특성에 대한 근본적인 연구를 계속할 것이며, 유연성 전자 장치에 사용하기 위해 장치를 유연 기판으로 이전시킬 가능성을 연구하고 있음.

본 연구 성과는 ‘ACS Applied Materials &Interfaces ’ 지에 게재됨