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나노기술 및 정책 정보

미국 [미국/산업]어플라이드, 차세대 메모리 ‘M램·Re램·PC램’ 개발 가속화

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발행기관
디지털데일리
저자
 
종류
 
나노기술분류
 
발행일
2019-09-03
조회
3,170

본문

어플라이드 머티리얼즈가 차세대 메모리 대량생산을 위한 새로운 시스템(M램용 엔듀라 클로버 물리기상증착(PVD) 플랫폼PC램 및 Re램용 엔듀라 임펄스 PVD 플랫폼’)을 출시함.

어플라이드의 새로운 통합 소재 솔루션은 M(Magnetic RAM), Re(Resistive RAM), PC(Phase Change RAM)에 사용되는 신소재가 양산 과정에서 원자 단위의 정밀도로 증착함. M램은 저전력, 비휘발성이면서 상대적으로 속도가 빠르고 내구성이 높음. PC램과 Re램은 스토리지급 메모리로 사용될 수 있는 고속, 비휘발성, 저전력 고밀도 메모리로 서버 D램과 스토리지 간 심화되는 가격 대비 성능 격차를 해소함. PC램은 상변화 소재를 기반으로 하며, Re램은 퓨즈와 유사한 기능을 하는 신소재가 사용됨. 어플라이드는 M램 구현을 위해 5가지 소재별 초박막 레이어를 극도의 균일성과 매우 적은 에너지로 정밀하게 증착하며 의도치 않은 소재 혼합을 방지하는 멀티 캐소드 PVD 챔버를 개발함. 클로버 MPVD 플랫폼은 전처리, 초저온 냉각, 고온 열처리에 온보드 계측을 통합함.

이러한 소재 솔루션을 통해, 차세대 메모리를 지원할 수 있을 것으로 여겨짐.