일본 [일본/R&D]이상 X선 소각산란법을 이용한 고온 초전도 중 인공 핀 분석법 확립
페이지 정보
- 발행기관
- spring8
- 저자
- 종류
- 나노기술분류
- 발행일
- 2019-06-25
- 조회
- 2,321
본문
후루카와(古河)전기공업주식회사가 이상 X선 소각산란법을 이용한 고온 초전도중 인공핀 분석방법을 확립하는 데 성공함. 연구팀은 대형 방사광 시설 SPring-8의 BL19B2에서 X선 소각산란법의 하나인 이상 X선 소각산란법에 의한 고정밀 초전도 재료 중의 인공핀 분석 방법을 확립함. 이 기술은 초전도로 분해된 수 나노미터의 인공 핀의 크기·밀도를 정밀하게 분석 할 수 있기 때문에 새로운 개념의 인공 핀의 설계 지침을 얻을 수 있음. 또한 제조 공정을 개선하는 데 도움을 줄 수 있어, 초전도 제품의 신뢰성 향상에 기여 할 수 있음. 본 연구 성과는 ‘Superconductor Science and Technology’ 지에 게재됨
- 이전글[일본/R&D]당기에 강한 탄소나노튜브의 구조를 특정 19.08.07
- 다음글[일본/R&D]나노 수준에서 살아 있는 채로 뼈의 형성 초기 과정을 해명 19.08.07