나노기술 및 정책 정보

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나노튜브실용화연구센터 연구팀이 질화알루미늄 철 나노입자 촉매를 안정하게 배치함으로써 결함이 적은 단층 탄소나노튜브(SWCNT)를 높은 수율로 선택적으로 성장시키는 데 성공함, 이는 고품질의 단층 탄소나노튜브 포레스트를 임의의 기판 표면에 직접 성장시키는 기술 개발에 있어 큰 진전임. 연구팀은 반응성 스퍼터링으로 질화알루미늄과 철을 실리콘 기판 상에 연속 적층시킨 촉매 층을 제작하고, 이를 750℃에서 15분간 가열한 후 수소/질소 가스(9:1) 하에서 5분간 유지하여 철 나노입자 촉매를 형성함. 이어서 수분 첨가 CVD법을 이용하여 750℃에서 10분간 촉매 층에 CNT를 성장시킴. 본 연구에서는 특별한 추가 처리 없이 질화알루미늄 촉매 기초 층에서 고효율로 SWCNT를 합성함. 본 연구 성과했으며, SWCNT의 수율과 층수 선택 향상은 CNT의 성장을 저해하는 오스트발트 성장과 표면 아래 확산을 억제하는 적절한 크기와 밀도의 촉매 나노입자의 안정된 배열의 형성을 돕는 다는 사실을 실증함. 본 연구 성과는 ‘MRS Advances’ 지에 게재됨