나노기술 및 정책 정보

• 목록

도쿄대학(東京大學) 연구팀이 작은 전류를 흐르게 하는 것만으로 N극과 S극의 자화 방향이 반전되는 자석을 개발함. 연구팀은 갈륨 비소(GaAs) 반도체에 망간 원자를 도핑한 강자성 반도체 갈륨망간비소(GaMnAs)라는 물질로 이루어진 막 두께 7nm의 초박 재료를 개발함. 이 박막에 전류를 흐르게 하는 것만으로, 3.4 × 105Acm–2의 매우 작은 전류 밀도로 자화가 반전되는 것을 발견함. 강자성 반도체 GaMnAs은 물질 내에 상대론적 양자 효과인 ‘스핀–궤도 상호 작용’이 존재하고 있으며, 이로 인해 낮은 전류 밀도에서의 자화 반전이 일어나고 있는 것으로 생각됨. 본 성과에 의해 저전력 자화 반전이 가능한 새로운 강자성 물질 탐색이 가속화 될 것으로 기대됨. 본 연구 성과는 ‘Nature Communications’ 지에 게재됨