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나노기술 및 정책 정보

EU [유럽/R&D]변형된 장치 제조 공정으로 그래핀에서 향상된 스핀 수송 달성

페이지 정보

발행기관
Phys.org
저자
 
종류
 
나노기술분류
 
발행일
2019-08-06
조회
2,284

본문

카탈란 나노과학 및 나노기술연구소(Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology) 연구팀이 Spintronics의 그래핀 기반 나노 디바이스 제작 기술을 개발함. 이 기술로 인해 스핀 수명과 이완 길이가 최대 3배로 증가함.

기존의 그래핀 제조 CVD 공정에서는 불순물의 발생으로 인해 그래핀의 성능이 저하됨. 그러나 이번 연구결과로 나온 공정은 Pt 호일에서 그래핀을 성장시키며, 불순물의 수준을 최소화시키기 위해 전자빔 리소그래피 및 O2 플라즈마 에칭, 그리고 고진공에서의 후열처리 등을 통해 공정에 최적화를 진행하였음. 스핀 매개 변수가 개선되며 Si 기판 상 그래핀의 실온 스핀 수명이 3 ns(나노초)이며, 스핀 이완 거리는 최대 9 um의 성능향상을 보임.

해당 기술의 발달로 Spintronics 응용 분야에 대한 연구가 활발해질 것으로 기대함.

본 연구 성과는 ‘2D Materials’ 지에 게재됨.