나노기술 및 정책 정보

• 목록

다롄(大連) 이공대학교 연구팀이 누설 전류(leakage current)가 없는 나노와이어 브릿지 성장 기술을 개발함. 연구팀은 최초로 나노와이어의 ‘direct-bridge growth’를 개발했으며, 이는 강력하게 연결되고 접촉 장벽이 없는 나노와이어의 성장이 가능하여 나노와이어 자체의 고유한 감지 특성을 얻을 수 있음. 나노와이어 소자의 배열 조립, 전극 접촉 및 재료 안정성 문제를 해결했으며, 높은 안정성, 낮은 전기 소모량, 높은 정밀도를 가지는 질화갈륨(GaN) 나노와이어 기체 센서를 개발함. 이 센서는 실온에서 작동되며, 8개월 동안 전기 저항 변화율이 0.8%보다 낮으며, 0.5ppb의 NO2 검출 한계를 보임. 이 센서는 바이오 검출 및 응력 응변 검출 등 분야에 적용 가능할 것으로 기대됨. 본 연구 성과는 ‘Nano Letters’ 지에 게재됨