나노기술 및 정책 정보

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중국 홍콩 중문(中文)대학교 연구팀이 단결정 나노와이어에서 적용 가능한 P-N 접합 디자인 기술을 개발함. 연구팀은 단결정 실리콘 나노 와이어가 축 뒤틀림을 통해 도핑 원자의 위치를 제어하고 효과적으로 N형 불순물과 P형 불순물을 분리한다는 것을 확인함. 또한 하이브리드 결합 궤도 이론 기반의 분석 모델을 통해 뒤틀린 나노 와이어 속 도핑원자가 가지는 선택적인 분포의 원인을 밝힘. 이번 결과를 적용하면 붕소와 안티몬은 적합한 N형 불순물 원소와 P형 불순물 원소의 선택을 통해 단결정 나노 와이어에서 N형 불순물과 P형 불순물의 분리를 실현할 수 있음. 이러한 새로운 기술은 소자 합성 난이도와 합성 원가를 대폭 낮출 수 있음. 본 연구 성과는 ‘National Science Review’ 지에 게재됨