미국 [미국/R&D]2차원 재료의 성장에 핵심적인 기질 결함
페이지 정보
- 발행기관
- ScienceDaily
- 저자
- 종류
- 나노기술분류
- 발행일
- 2019-05-09
- 조회
- 2,622
- 출처 URL
본문
펜실베이니아주립대학교(Pennsylvania State University) 연구팀이 향후 웨이퍼 규모로 성장할 수 있는 잠재력을 가진 2차원 소재의 품질을 개선하는 방법을 개발함. 연구팀은 육방정계 질화붕소 표면에서 성장한 전이금속 디칼코게나이드(TMD)의 85% 이상이 같은 방향을 가리키는 것을 확인함. 이 현상의 원인을 규명하고자 시뮬레이션을 수행했으며, 그 결과 육방정계 질화붕소에서 붕소나 질소 원자가 사라져 생긴 빈 공간이 텅스텐이나 몰리브덴과 같은 금속 원자를 가두어 삼각형을 선호하는 방향으로 향하게 하는 것을 확인함. 이렇게 성장한 소재는 광발광 방출이 증가하며 전자 이동성이 크게 향상되는 것으로 확인됨. 본 연구 성과는 ‘ACS Nano’ 지에 게재됨
- 이전글[미국/R&D]안전한 에너지 저장을 위한 배터리 핫스팟 19.05.13
- 다음글[미국/R&D]종양을 추적하는 나노체 접근법 19.05.13