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싱가포르국립대학교(National University of Singapore) 연구팀이 차세대 논리 소자를 제작하기 위한 이텔루리드 몰리브덴의 헤테로 구조에서 광-유도 전자 도핑 방법을 발견함. 연구팀은 이텔루리드 몰리브덴 기반 FET에 도핑 효과를 유도하기 위해 광 조도(light illumination)를 사용할 수 있음을 확인했으며, 이는 비휘발성 및 가역성 방식으로 전기적 특성을 변경할 수 있음. 외부 방해 없이 광도핑 효과가 14일 이상 유지 될 수 있음을 확인함. 2차원 헤테로 구조 기반의 광도핑 효과를 발견한 이번 연구는 논리 전자 소자의 개발을 위해 포토 레지스트가 필요 없는 p-n 접합 및 인버터를 제조할 수 있는 잠재적인 방법을 제공함. 본 연구 성과는 ‘Advanced Materials’ 지에 게재됨